www.mbsm.pro, cOMPRESsOR A/A , R22 ,124MBTU, 220V/380v, 3HP, H25G124DBDE, BRISTOL

www.mbsm.pro, cOMPRESsOR A/A ,124MBTU, 220V/380v, 3HP, H25G124DBDE, BRISTOL
1 RT (Ton) = 12000 BTU/hr
124M BTU/hr = 10 Ton


www.mbsm.pro, cOMPRESsOR A/A ,124MBTU, 220V/380v, 3HP, H25G124DBDE, BRISTOL
1 RT (Ton) = 12000 BTU/hr
124M BTU/hr = 10 Ton


www.mbsm.pro, Branchement de Contacteur ,De Réponse Carte mère, Climatiseur ,Sharp
A1 = Entrée Courant de réponse carte mère Neutre (N) Noir 1.5mm2
A2 = Entrée Courant de réponse carte mère Phase (1) Rouge 2.5mm2
A1/a2 = C’est la Bobine 220v 50H
L1 /L3 = Entrée Courant de La Ligne De Curant Direct Phase Rouge 2.5mm2
T1/T3 = Retour Du Compresseur Fil Rouge 2.5mm2


www.mbsm.pro , compressor, R134a ,ff16hak ,170 watt ,1/4 HP ,1PH


Le noyau de ferrite est utilisé pour réduire les interférences électromagnétiques dans les câbles électriques ou de signaux produits par le courant électrique.
Un noyau de ferrite agit comme un filtre ou réactance inductive, pour fournir une résistance au passage de courants alternatifs de haute fréquence qui peuvent provoquer des interférences dans les périphériques et appareils électroniques.
Son installation est importante afin d’éviter tout dysfonctionnement sur un périphérique.


Il est recommandé de placer le noyau de ferrite comme indiqué dans l’image:


Description du transistor
Le transistor est un composant d’où sortent 3 fils électriques. Ils sont dénommés B (base), C (collecteur), et E (émetteur).
Voici un dessin du transistor BC 547, agrandi quatre fois :

Voici la représentation classique du transistor dans les schémas électroniques :

Le principe de fonctionnement



Le BC 547 est un transistor un peu faible pour allumer une lampe. Vous aurez peut-être intérêt à utiliser un transistor plus puissant, comme par exemple le BD 649. En voici un dessin, agrandi deux fois :

La raison pour laquelle on soustrait systématiquement 0,7 Volts de la tension UBE est que les transistors bipolaires actuels contiennent une diode “parasite”. La tension soustraite dépend du type de semiconducteur utilisé : 0,7 Volts pour le silicium, et 0,2 Volts pour le germanium.
